​NSG2103 700V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

一、概述

NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2103采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+700V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
集成VCC欠压锁定电路
 -- 欠压锁定正向阈值 8.9V
 -- 欠压锁定负向阈值 8.2V
芯片传输延时特性
 --开通/关断传输延时Ton/Toff=650ns/130ns
 --延迟匹配时间50ns
防止直通保护
 --死区时间520ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 300mA/600mA
符合RoSH标准
SOIC8(S)

三、应用

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

逆变器驱动

四、封装信息

​五、简化示意图