​反并联软快恢复二极管--BGN30T65SD-IGBT模块

一　概述

IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.
具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管.

二　特征

650V Trench FS technology（650V Trench FS技术）
Low conduction and switching losses（低导通和开关损耗）
Saturation voltage:VCE(sat),typ=1.75V@ IC=30A and TC=25°C
（通态压降,VCE(sat), typ=1.75V @IC=30A and Tc=25°C）
Low gate charge（低栅极电荷）

三　应用

UPS
不间断电源
Inverter
变频器

四　封装