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​NSG2136 700V带使能和故障报告的三相半桥MOSFET驱动芯片

    

​NSG2136 700V带使能和故障报告的三相半桥MOSFET驱动芯片

 

一、概述

NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片,包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后,过电流故障情况自动清除。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。


二、产品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压:10V到20V
集成先进的输入滤波功能
所有传输通道输入边沿触发
所有通道都受欠压锁定电路保护
防直通死区逻辑
过流关断全部六个通道
外部编程故障清除时间
独立的三路半桥驱动电路
所有通道延时匹配
符合RoSH标准
SOP28


三、应用

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动


四、封装信息


五、简化示意图


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NSG21364 700V带使能和故障报告的三相半桥IGBT驱动芯片

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NSG10752 100V单相高侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片


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